NEXUS IBD 离子束沉积系统

适用于强偏磁层、含铅层、隔离层和传感器叠层沉积

通过 Veeco 的第三代 NEXUS® 离子束沉积 (IBD) 系统,数据存储生产商可以极大提高 80Gb/in2 传感器的良率,并能满足未来薄膜磁头 (TFMH) 器件制造的要求。

  • 支持各种器件(从当前的 CIP 到先进的 CPP 器件)
  • 适用于 MRAM 应用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁头
  • 增强了对所有准直沉积应用的 CD 控制
  • 通过沉积流柱对称到达,实现更锐利的出射角度
  • 平台与 PVD、IBE 和其他技术轻松整合

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