金属有机化学气相沉积系统 (MOCVD)

金属有机化学气相沉积系统 (MOCVD)

适用于功率器件的 Propel Power GaN MOCVD 系统

适用于功率器件的 Propel Power GaN MOCVD 系统

单晶片反应腔技术能够生产 GaN 基高效功率器件。

Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系统专为电力电子器件行业而设计。该系统采用单晶片反应腔平台,能够处理六至八英寸晶片,可沉积高品质的 GaN 薄膜,生产高效率的电力电子器件。这种单晶片反应腔基于 Veeco 的领先 TurboDisc® 设计并采用突破性的技术,其中包括新的 IsoFlange™ 以及可在整个承载盘中提供均匀的层流和统一温度曲线的 TruHeat™ 晶片线圈。客户可以很轻松地从 Veeco K465i™ 和 MaxBright™ 系统切换到 Propel Power GaN MOCVD 平台。

  • 出色的薄膜均匀度、产量和设备性能
  • 具有较长的运行时间和较低的颗粒缺陷,实现出色的良率和灵活性
  • 快速研究周期可加速从硅基氮化镓研发过渡到大批量生产
  • 模块化设计,实现轻松的配置、操作和维护

 

单击此处访问在 200mm (8”) 硅基质上利用 Veeco® Propel® TurboDisc® MOCVD 工具生长 GaN HEMT 结构的基本工艺信息。本信息并非设计、意图、推荐或授权用于任何类型的商业系统或应用中。

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