NEXUS IBD 离子束沉积系统
适用于强偏磁层、含铅层、隔离层和传感器叠层沉积
通过 Veeco 的第三代 NEXUS® 离子束沉积 (IBD) 系统，数据存储生产商可以极大提高 80Gb/in2 传感器的良率，并能满足未来薄膜磁头 (TFMH) 器件制造的要求。
- 支持各种器件（从当前的 CIP 到先进的 CPP 器件）
- 适用于 MRAM 应用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁头
- 增强了对所有准直沉积应用的 CD 控制
- 通过沉积流柱对称到达，实现更锐利的出射角度
- 平台与 PVD、IBE 和其他技术轻松整合
Veeco 首席工艺开发工程师 Frank Cerio 博士在 IEEE 国际互连技术大会 (IITC) 上作了报告。题为“利用离子束沉积优化钨的微结构以实现低电阻率”的报告还以海报形式展出。立即观看：