Veeco 掺杂源的设计可实现高效操作、快速热响应和优异的流量均匀度。为了实现良好的均匀度以及用于掺杂材料的相对较少电荷,可使用带大锥角的圆锥 PBN 坩埚来确保整个基板中的良好流量分布且不存在束阴影或准直问题。
源在大部分掺杂剂材料所要求的相对较高的蒸发温度下高效运行,而且不会在 MBE 生长室周围产生过度的热负荷。虽然小掺杂源是使用一个灯丝加热,但较大的掺杂源可采用一对并行操作的同心加热器灯丝来提供最可靠和有效的源加热和反应性。
由于单晶片 MBE 系统的掺杂源体积较小,这种源可以在一个安装法兰上与次级掺杂源或进气管相组合,从而扩大一个源端口中可用的掺杂范围。进气口(源灯丝加热)主要用于 CBr4 等不需要热预裂解的气体。双掺杂源带有两个在热量和光学方面彼此隔离的 5cc 源头,并配备独立快门,安装在同一个 4.5”/114 法兰上。