借助 Veeco 的低温气体源，可低成本地为分子束外延 (MBE) 系统引入 CBr4 和 NH3 等源气体。该装置具有用于快速进行气体交换的大导管和用于实现良好生长一致性的扩散器末端衬板。它是在到达基底之前不需要预裂解的源气体的理想之选。将位于安装法兰上的此源与原子氢源或锥形掺杂源相结合，可提高 MBE 流程的灵活性和良率。

• 在无热预裂解的情况下引入气体
• 适用于氮化物生长的氨源
• 适用于有机金属材料的理想注入器
• 已有超过 50 个投入现场应用

Veeco 的 MBE 系统低温气体源提供在无热预裂解的情况下引入气体的低成本方法。该源具有可供快速气体交换的大型导管和可实现良好生长均匀度的扩散器端板。凭借先进的流量建模，可针对特定的 MBE 系统定制端板穿孔图案，以获得最佳性能。在真空外的带状加热器可将源温度加热至既可足以防止管中的气体发生冷凝而又不会产生裂解的温度范围 (< 200°C)。

为了有效地使用 MBE 系统中的源端口，这种源可通过一个安装法兰与原子氢源或锥形掺杂源组合在一起。对于这些组合源，气体注入器不包括单独的带状加热器，而是使用源或氢裂解灯丝加热。

性能和优势

此源是下列应用的理想气体注入器：

• 用于 GaN 生长的 NH3
• 用于碳掺杂的 CBr4
• 在到达基底之前不需要热预裂解的任何其他必要源气体
• 得到优化的束通量可最大限度地减少系统的气体负载并获得良好的均匀度

MBE 种植者使用各种活性氮源来沉积 GaN 和其他含氮化物的材料。虽然高度稳定的 N2 气体源必须在等离子中活化，但 NH3 却可在无需热预裂解的情况下进行沉积反应。低温气体源非常适合将 NH3 注入生长室。导管可被加热到既可足以防止冷凝而又不会对源气体提供任何裂解的温度 (<200°C)。典型的基底温度（700–900°C 范围）足以造成 NH3 直接在基底上分解。