推进 GaN 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 系统研发和生产
基于 Veeco 经验证的 TurboDisc 技术，加速下一代设备的工艺开发
Veeco 的 Propel™ 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 系统是一个灵活的平台，用于早期研究和开发以及满足氮化物应用的小生产需求。反应腔能够在各种基质（如硅、蓝宝石和碳化硅 (SiC)）上处理 9×2”、3×4”、1×6” 和 1×8”，无需在每次运行之间进行任何硬件修改。系统可以为多种应用（例如电源、RF 和光电）沉积高质量 GaN 膜。R200 反应腔基于 Veeco 的领先 TurboDisc® 设计，包括 IsoFlange™ 和 SymmHeat™ 技术，其可在整个晶片上提供层流和均匀的温度曲线。客户可以很轻松地从 Veeco D180、K465i™ 或 MaxBright™ 系统切换到 Propel GaN 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 平台。
访问在 200 mm (8”) 硅基质上如何利用 Veeco® Propel® TurboDisc® 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)工具生长 GaN HEMT 结构的基本工艺信息。本信息并非设计、意图、推荐或授权用于任何类型的商业系统或应用中。
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