16 厘米高功率 RF 离子源

在离子辅助电子束 (IAD) 或溅射沉积应用领域具有最高性能

Veeco 宣布推出 16 厘米 RF 高功率 (HP) 离子源，在 120 厘米范围内其离子束均匀度 < 10%。非常适合于在反应性工艺（例如离子辅助电子束 (IAD) 或溅射沉积工艺）中使用。

• 支持很宽的高功率操作范围：200 到 1500eV，200 到 1000mA 以上
• 在惰性和氧化环境中均能实现可靠一致的操作
• 改进了能量和电流的均匀度，从而提高了堆积密度和氧化率
• 此外，还增强了化学计量控制并有助于生产更平滑的薄膜
• 提供多种多样的网格组——采用多种接口有利于现有离子辅助沉积 (IAD)系统进行升级
• 对于溅射沉积，可大幅提高沉积率
• 确保提供高质量的薄膜和稳定的工艺操作