Veeco 获得专利权的冷边 SUMO® 源消除了损失，可提供厚度均匀性和流量稳定性 -- 用于 III 组（尤其是 Al）材料蒸发的最佳分子束外延 (MBE)源技术。它包括了获得专利权的独特坩埚（坩埚带有柱状池和小锥形孔口），提供大容量、优异的流量均匀度、最小的快门瞬时流量或长期耗竭效果。

• 专利设计，已有超过 350 个投入现场应用
• 增加容量
• 消除 Al 溢出损失
• 运行非常稳定，能够尽量减少日常流量校准
• 大大减少快门瞬时流量
• 低背景杂质
• PBN 坩埚构造可优化材料质量

SUMO 源是最适合 III 族材料的源技术。冷边源专为铝蒸发而设计，可防止通常由 PBN 铝润湿而引起的材料溢出。

SUMO 在设计中采用专为独特形状的坩埚而定制的双灯丝加热器和热屏蔽盖。加热器/热屏蔽盖定位恰当，可对坩埚孔口上部有一个专门冷边的坩埚体进行有效的加热。任何溢出孔口的铝都将在大边上冻结，而不会破坏源。凭借在“冷边”模式下运行的双灯丝，可以对温度梯度进行调整，以针对特定的源端口和源电荷水平优化铝流量的均匀度。

这种获得专利权的坩埚包括：

• 一个柱状池，提供大电荷容量和最小的长期耗竭效应
• 一个小锥形孔，可实现最佳流量分布和可调节的快门瞬时流量
• 一个位于冷区的宽边，可通过冻结从源溢出的铝来保护源。在操作得当的情况下，铝不会溢出到坩埚孔口以外。就氮化物应用而言（铝溢出问题尤为严重），Veeco 可提供特定于材料的延边 SUMO 坩埚。坩埚中 PBN 边的延长部分进一步增强了坩埚冷区，为熔化铝和氮化物化合物提供了额外防范
• PBN 坩埚构造可优化材料质量

SUMO 源可提供各种尺寸，几乎兼容所有 MBE 系统

性能和优势

SUMO 源可提供最大的可用 III 族电荷容量，同时不会影响材料质量或源性能。全球各地的工厂均已证明其卓越的材料质量，并可在整个基底中获得良好的厚度均匀性。

优势包括：

• 大电荷容量。相比其他供应商的原来 III 族源，铝电荷容量可能会增加一倍以上。
• 良好的均匀度。SUMO 源旨在满足或超过在使用原来推荐的源的大多数 MBE 系统中实现的厚度均匀度 (±1%)。
• 具有长期的流量稳定性。凭借其独特的形状，SUMO 坩埚可尽量减少在圆锥形坩埚中常见的长期耗竭效应。SUMO 提供恒定的熔体表面，提供更好的均匀度和可重复的日常操作。可通过较小且较少的温度变化维持恒定的束通量。
• 减少与快门有关的瞬时流量。熔体表面、SUMO 坩埚小孔口后面的凹陷可屏蔽大部分反射性辐射。从闭口快门返回的热量由 PBN 坩埚和热屏蔽盖扩散。
• 出色材质。PBN 坩埚结构和小坩埚孔口设计，再加上有效的双灯丝加热，可降低系统周围的热负荷并实现生长层的较低背景杂质。

SUMO 源采用冷边模式运行，是大多数应用场合的最佳铝源。对于可接受较小炉料容量且需要快速增加源温度的情况，建议选择标准双灯丝或单灯丝源。