Veeco 热边 SUMO® 源具有大容量坩埚，可在分子束外延 (MBE) 过程中实现优异的流量一致性、可忽略的快门瞬时流量和最小长期耗竭效应。源的设计目的是提高效率和降低热负荷，提供改进的材料质量、低缺陷发生率和整个基底良好的厚度均匀度。

• 专利设计，已有超过 1150 个投入现场应用
• 增加容量
• 操作极其稳定
• 低背景杂质
• 卓越的流量均匀度
• PBN 坩埚构造可优化材料质量

SUMO MBE 源是最适合 III 族蒸发的源技术。SUMO 在设计中采用专为独特形状的坩埚而定制的双灯丝加热器。对于镓和铟，源在热边模式下工作，以消除坩埚孔的材料再冷凝，从而减少椭圆缺陷。热屏蔽盖可提高源的效率，最大程度地减小系统的热负荷。SUMO 源提供极佳的流量稳定性、均匀度和大大提高的电荷容量。

这种获得专利权的独特坩埚包括：

• 一个柱状池，提供大电荷容量和最小的长期耗竭效应
• 一个小锥形孔，可实现最佳流量分布和可调节的快门瞬时流量
• 一个出口锥管，提供优异的流量均匀度并且可最大程度地减少材料浪费
• 可优化材料质量的 PBN 构造

SUMO 源可针对任何 MBE 系统而优化。对于某些系统而言，SUMO 坩埚可采用非对称孔口和重定向束通量的偏置出口锥管，增强旋转基板各处的厚度均匀度。由于具有更大的出口锥管，非对称 SUMO 在坩埚边上不使用单独的热屏蔽盖。

性能和优势

SUMO 源可提供最大的可用 III 族电荷容量，同时不会影响材料质量或源性能。全球各地的工厂均已证明其卓越的材料质量，并可在整个基底中获得良好的厚度均匀性。

优势包括：

• 大电荷容量。相比其他供应商的原来 III 族源，镓或铟电荷容量可能会增加一倍以上。SUMO 源尺寸是指可装载的源材料的实际数量，依赖于系统的几何结构和源端口位置。例如，4500g SUMO 源可以装载 4500g 镓或 5500g 铟。
• 良好的均匀度。SUMO 源旨在满足或超过在使用原来推荐的源的大多数 MBE 系统中实现的厚度均匀度 (±1%)。
• 具有长期的流量稳定性。凭借其独特的形状，SUMO 坩埚可尽量减少在圆锥形坩埚中常见的长期耗竭效应。SUMO 源提供恒定的熔体表面，提供更好的均匀度和可重复的日常操作。可通过较小且较少的温度变化维持恒定的束通量。
• 低缺陷密度。采用双灯丝源的热边加热可确保坩埚孔的温度能够超过熔体温度，以防止形成镓和铟液滴。利用 SUMO 降低的与快门有关的瞬时流量，可测量种植材料的缺陷密度。熔体表面、SUMO 坩埚小孔口后面的凹陷可屏蔽大部分反射性辐射。从闭合快门返回的热量由 PBN 坩埚扩散，不会造成在传统开口坩埚中常见的快门瞬时流量。
• 出色材质。PBN 坩埚结构和小坩埚孔口设计，再加上有效的双灯丝加热，可降低系统周围的热负荷并实现生长层的较低背景杂质。