NEXUS IBE 离子束蚀刻系统

使用 NEXUS® IBE™ 离子束蚀刻系统,可最大程度地增加滑片良率,实现优异的离子束蚀刻一致性。

NEXUS IBE 离子束蚀刻系统


在广泛的能源和工艺方面提供了优异的均匀度

使用 NEXUS® IBE™ 离子束蚀刻系统,可最大程度地增加滑片良率,实现优异的离子束蚀刻一致性。The IBE System offers unsurpassed uniformity over a wide range of energy and process angles, making it ideal for etch depth control of next-generation ABS step and cavity processing.

  • 优异的均匀度和增强的蚀刻深度控制
  • 实现了最高的产量,减少了不必要的配件以实现最低成本
  • 在世界一流的 NEXUS 硬件和软件平台上很容易与常用技术集成
  • NEXUS Ion Source improves etch uniformity and process repeatability
  • 还可一并提供 RF350 源,以供工艺中需要 RF350 源的生产部门加以合规使用
  • Platform can be cost-effectively field-upgraded to NEXUS Ion Source

我们的团队随时准备提供帮助