推进 HVM GaN 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 系统功率、5G RF 和光电

单晶片反应腔技术可实现高效和高质量，基于 GaN 的电源设备，5G RF 和光电应用

Veeco 的 Propel HVM GaN MOCVD 系统设计为独特的大批量制造单晶片反应器集群系统，适用于基于 GaN 的功率、射频和光子器件。采用单晶片反应器平台，能够在 150 和 200 mm 晶片上产生同级优异的高质量外延膜性能，以实现卓越的均匀性、可重复性和良率。Propel HVM 系统可配置多达 6 个模块化集群室，以实现尽可能高的生产效率和灵活性，是客户铸造或 IDM 业务的理想选择。

这种单晶片反应腔基于 Veeco 的领先 TurboDisc® 设计并采用突破性的技术，其中包括 IsoFlange™ 以及可在整个承载盘中提供层流和统一温度曲线的 SymmHeat™ 晶片线圈。客户可轻松将工艺从 Veeco 单晶片反应器 Propel 和 K465i™ 系统转移到 Propel HVM GaN MOCVD 平台，以实现从开发到生产周期的快速转移