ALD 优势

适用于高度可控薄膜的原子层沉积 (ALD)

• 基于自限的膜厚度，自组装行为，带纳米级控制
• 多组分膜的化学测量控制
• 在超大区域可扩展的薄膜/工艺
• 卓越的可重复性
• 宽工艺窗口（相对于温度或前体剂量变化）
• 低缺陷密度
• 根据基质和温度的非晶态或晶体膜类型
• 多层涂层、异质结构、纳米氨酸盐、混合氧化物、分级索引层和掺杂的精细控制
• 适用于氧化物、氮化物、金属和半导体的标准配方

沉积在硅沟槽中的 Cu2S/SnS2/ZnS 三层。在不同热退火后，SIMS 分析了 CZST 膜组合物的特性。
参考：Thimsen et al, Chemistry of Materials，24 (16), 3188-3196 (2013). doi:10.1021/cm3015463

适用于高度可控薄膜的原子层沉积 (ALD)

• 卓越的保形性，100% 步进范围：在平坦、内部多孔以及颗粒样品周围形成均匀的涂层
• 符合基质几何结构的原子级平滑涂层

在原子层沉积 (ALD) 中 300：1 AAO 纳米模板中沉积的 Li5.1TaOz 共形沉积（470：1 最终 AR）
参考：Liu, J. et al., J. Phys. Chem. C 117, 20260–20267 (2013).

用于挑战性基质的原子层沉积 (ALD)

• 适用于敏感基质的温和沉积过程
• 可能的低温沉积 (RT-800 °C)
• 低功率等离子处理（低至 20-50W）功能
• 聚合物、OLED 和贵金属表面上展示的涂层
• 由于第一层的化学键，具有出色的粘附性
• 分子自组装造成的低压力

Al2O3 – ZrO2 纳米层压板封装，在室温下水传输速率 (WVTR) 为 5E-7g/m2/天 – 在 80˚C 下沉积在 Savannah® 中
参考：Meyer, J., et al. (2009). Applied Physics Letters, 94(23), 233305