切换导航
English
中国
日本
台灣
한국
投资者
工作机会
新闻/博客
联系我们
English
中国
日本
台灣
한국
市场
半导体
化合物半导体
数据存储
科学和其他
技术与产品
激光加工系统
光刻系统
离子束系统
沉积系统
溅射系统
蚀刻系统
离子源
有栅 DC 离子源
无栅 End-Hall 离子源
有栅 RF 离子源
类钻碳
金属有机化学气相沉积系统 (MOCVD)
SiC CVD 系统
湿法处理系统
分子束外延 (MBE) 技术
MBE 系统
MBE 源
掺杂剂
高温
低温
中温
专用源
MBE 组件
原子层沉积 (ALD)系统
原子层沉积 (ALD) 概述
ALD 优势
用于研究的 ALD
用于生产的 ALD
有关 ALD 的行动
ALD 材料
ALD 应用
用于 3D 纳米加工的 ALD
III-V 半导体器件
电池
硫属元素化物
电子
封装
自组装单分子膜 (SAMS)
水分解
ALD 知识中心
ALD 周期表
ALD 研究
ALD 服务
物理气相沉积系统
切割和研磨系统
气体及气相传送系统
服务与支持
公司
领导团队
工作机会
历史
质量
新闻/博客
企业社会责任
公司文化
投资者
工作机会
新闻/博客
联系我们
中温
中温
中温 MBE 源几乎适用于所有应用场合,从热边 SUMO 源到热泻流标准灯丝,应有尽有。
单丝源
使用单丝源,可获得满足您的大容量、高产值分子束外延 (MBE) 过程需求的经济高效的解决方案。其……
阅读详情
适用于镓和铟的向下开口的 SUMO 源
向下开口 SUMO 源具有大容量、优异的流量均匀性、可忽略的快门瞬时流量和最小耗竭效果……
阅读详情
双丝源
双丝源的设计目的是生产高质量的含镓和铟的材料,能够防止炉料重新凝固并降低缺陷。
阅读详情
适用于镓和铟的热边 SUMO 源
其可在分子束外延 (MBE) 过程中实现优异的流量均匀性、可忽略的快门瞬时流量和最小长期耗竭效果……
阅读详情
抗氨化源
Veeco 抗氧化长寿命源可实现中温和分压下的精确 MBE 操作。
阅读详情
抗氨化源
使用 Veeco 适用于中温环境的长寿命抗氨化分子束外延 (MBE) 源,可以最大程度地提高基于氨 (NH3) 的外延的生产力和性能。
阅读详情
适用于铝的冷边 SUMO 源
使用冷边 SUMO 源可消除损失并获得良好的厚度均匀性和流量稳定性。这是最佳分子束外延 (MBE)……
阅读详情
可伸缩源
Veeco 可伸缩源能满足分子束外延 (MBE) 的基本限制,包括实现维护和系统正常运行时间的源容量、源去除。
阅读详情
×