WaferEtch 湿法加工平台

WaferEtch 平台是先进封装、MEM、RF、数据存储和光子器件市场中许多关键水性工艺的行业选择。有 2 个版本 - 手动加载 (ML) 和 3300 系列平台。手动加载系统非常适合研发和试验环境。3300 系列平台是业内的大批量可靠工具。3300 系列架构非常灵活,用户可根据吞吐量要求,在每个系统中配置多达 8 个腔室。此外,该系统还能处理多种晶圆尺寸和晶圆类型,只需对硬件作最小程度的修改。最后,工艺室可以垂直堆叠,从而实现极低的系统占用空间。与湿式工作台和其他单晶片替代方案相比,蚀刻工艺室具有许多工艺控制优势。

主要特性

  • WaferChek 端点 – 光端点能够准确识别蚀刻端点,以最大限度地减少底切、提高通量并降低化学成本。
  • 双曲线臂扫描控制 - 用户可以定制点胶臂模式以优化蚀刻均匀性
  • 自适应加标 - 化学物质浓度控制,确保批次间和批次内蚀刻速率稳定。

系统架构

大批量平台 - 3300 系列

  • 1 – 10 腔室模块化系统
  • 占用空间小 - 堆叠式腔室
  • 板载化学品供应
  • 多种晶片尺寸 - 50 至 300mm
  • 多种基质类型 – Si、LiTaO3、蓝宝石、玻璃

用于研发的手动加载平台 - ML

  • 单腔 - 手动加载

                      

WaferEtch 3300 系列平台                                                               手动加载平台

 

应用领域

UBM/RDL 蚀刻

  • 随着 I/O 数量增加以及性能要求越来越严格,RDL 线路/空间尺寸不断缩小。为了实现这些较小的尺寸,需要卓越的工艺控制。WaferEtch 平台通过 WaferChek 端点和双曲线点胶臂运动满足这些工艺要求。

化合物半导体蚀刻和硅减薄

  • 随着光子器件和电力市场持续增长,制造商正在将其工艺从工作台式规模扩大到大批量生产。WaferEtch 系统为用户提供了工作台规模方法无法实现的工艺控制,同时还可灵活适配各种晶片尺寸和基质。

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