Mark I+ 无栅离子源

可为真空镀膜制程提供高射束电流

Mark I+ 无栅型离子源可专为真空镀膜制程提供高射束电流，从而提高制程均匀性并防止基材受损，是表面预清洁、辅助沉积及选择性蚀刻应用的理想选择。

• 旨在用于直径小于或等于 750 毫米的系统中的真空镀膜制程
• 对需要高电流、低能量离子的应用非常有效
• 高射束电流对于控制薄膜应力和化学计量特别有用
• 另外，也非常适合于工业制程，包括反应环境
• Mark 系列离子源控制器（可单独购买）可对源性能进行补充，并提供稳定可靠的制程运行