旨在与 End-Hall 离子源的等离子特性相配合
借助 Mark II+ 离子源控制可最大化离子源性能、薄膜蚀刻、清洁及沉积均匀度。Veeco 将其设计为专门与 End-Hall 离子源的等离子特性相配合,有助于确保制程运行具有较高的生产力及精确控制离子束输出。
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