原子层沉积 (ALD) 概述

原子层沉积 (ALD) 可提供精确到原子级别的控制。原子层沉积在各行各业实现了巨大的承诺，包括能源、光电电子产品、纳米结构、生物医学和更多。请查看我们的应用部分，了解有关所有这些领域的更多详情。

原子层沉积 (ALD) 的原理与化学气相沉积 (CVD) 相似，区别只是 ALD 反应将 CVD 反应分为两个半反应，在反应过程中保持前体材料分离。

这通过特殊前体蒸汽的后续脉冲实现，每个后续脉冲在每个脉冲（反应周期）中形成大约一个原子层。然后重复反应周期，直到达到所需的膜厚度，而化学气相沉积则是同时引入多种前体材料。

我们的原子层沉积 (ALD) 系统（Savannah®、Fiji® 和 Phoenix® Firebird™）设计用于沉积厚度完全一致（甚至在孔隙、沟槽和空腔深处也是如此）的无针孔涂层。

在具有超高纵横比的基质上沉积这种高质量薄膜的能力是我们原子层沉积 (ALD) 系统的主要特征。

可使用气体、液体或固体前体沉积多种薄膜。

请查看常用于原子层沉积 (ALD) 材料部分的材料清单。

如果您有兴趣了解我们如何在简化原子层沉积 (ALD) 的同时让研究人员可以获得并在经济上负担得起这项应用，请联系我们。